東京–東芝公司(東京：6502)今天宣佈，在公司原有NANO FLASH™的基礎(chǔ)上，它已開發(fā)出應(yīng)用於嵌入式微控制器的具有更快存取速率的 NANO FLASH™-100快閃記憶體。
開發(fā)背景：
嵌入式微控制器的多功能性和高速存取能力需要以具備更快存取速率的快閃記憶體為基礎(chǔ)。東芝已經(jīng)充分認(rèn)識(shí)到這一點(diǎn)並為此開發(fā)了NANO FLASH™，這款產(chǎn)品具有兩大特點(diǎn)：高速編程 (基於NAND快閃記憶體裝置技術(shù)); NOR 快閃記憶體電路技術(shù)。隨後，東芝將這些高級(jí)性能應(yīng)用于其原來(lái)的微控制器和 ARM 內(nèi)核的微控制器產(chǎn)品中?，F(xiàn)在，隨著越來(lái)越多的用戶使用ARM內(nèi)核微控制器，市場(chǎng)對(duì)於更快更大存儲(chǔ)能力的需求日益增加。 NANO FLASH™-100快閃記憶體則可以完全滿足市場(chǎng)的這一需求。
特徵：
最新開發(fā)的NANO FLASH™-100實(shí)現(xiàn)了以100MHz運(yùn)行時(shí)隨機(jī)存取的零等待時(shí)間(注 1),這是目前業(yè)內(nèi)的最高水準(zhǔn)。這就使得ARM微控制器內(nèi)核完全滿足了需要進(jìn)行高速和大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用對(duì)於高性能和高代碼密度的要求。
使用超低功耗技術(shù)納米閃存™微控制器,廣泛的高速度、低功耗應(yīng)用的發(fā)展是可用的。
東芝將繼而推出首款使用NANO FLASH™-100的TMPM440F10XBG，它是擁有額外ARM內(nèi)核的產(chǎn)品（M4）使用 NANO FLASH™微控制器的超低功率技術(shù)，即可實(shí)現(xiàn)各種高速、低功率應(yīng)用的開發(fā)。
注 1: 根據(jù)東芝對(duì)於嵌入式微控制器快閃記憶體的調(diào)查 (截止於2013年1月)
注 2: ARM和Cortex是ARM有限公司在歐洲和其他國(guó)家的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。
注 3: NANO FLASH是東芝公司的商標(biāo)。