華邦電 (2344-TW) 今 (28) 日舉行法說(shuō)會(huì)，公布第 2 季毛利率上揚(yáng)至 32.55%，歸屬母公司淨(jìng)利季增逾 44%，每股純益 0.28 元，上半年每股純益為 0.47 元?？偨?jīng)理詹東義指出，第 3 季是傳統(tǒng)旺季，預(yù)期需求將比第 2 季強(qiáng)，目前公司產(chǎn)能已全被預(yù)定，看好第 3 季營(yíng)運(yùn)。
詹東義預(yù)期，下半年 NOR Flash 缺貨情況仍將延續(xù)，法人看好，華邦電第 3 季營(yíng)收與獲利可望持續(xù)走揚(yáng)，下半年?duì)I運(yùn)優(yōu)于上半年。
華邦電第 2 季合併營(yíng)收 114.11 億元，季增 9%；受惠于需求強(qiáng)勁及報(bào)價(jià)上漲，單季毛利率 32.55%，季增 3.88 個(gè)百分點(diǎn)，年增 4.31 個(gè)百分點(diǎn)；歸屬母公司淨(jìng)利 9.9 億元，季增 44.16%，年增 54.04%，每股純益 0.28 元；累計(jì)上半年歸屬母公司淨(jìng)利 16.76 億元，年增 18.19%，每股純益 0.47 元。
詹東義表示，今年預(yù)計(jì)增加產(chǎn)能，將從每月 4.4 萬(wàn)片增至 4.8 萬(wàn)片，其中 DRAM 為 2.6 萬(wàn)片，F(xiàn)lash 占 2.2 萬(wàn)片，預(yù)計(jì)新產(chǎn)第 4 季開(kāi)出，效益則在第 4 季到明年陸續(xù)顯現(xiàn)；此外，自行研發(fā)的 3X 奈米預(yù)計(jì)第 3 季起可開(kāi)始貢獻(xiàn)營(yíng)收。
華邦電今年資本支出原預(yù)計(jì)是 174 億元，但因部分設(shè)備交期遞延，將小幅下修至 170 億元；預(yù)估今年 DRAM 位元產(chǎn)出年增 1%，明年則成長(zhǎng) 13%，今年NOR 位元產(chǎn)出年增 26%，明年則是 16%。
詹東義表示，目前 DRAM 大環(huán)境健康，價(jià)格預(yù)計(jì)可微幅上調(diào)，至于 Flash 部分，預(yù)期到今年底都將呈現(xiàn)缺貨，預(yù)計(jì)市場(chǎng)新產(chǎn)能開(kāi)出的時(shí)間點(diǎn)落在 2018 年，對(duì)中國(guó)明年開(kāi)出產(chǎn)能及新產(chǎn)能的品質(zhì)仍有待觀察。需求部分，預(yù)期明年整體市場(chǎng)需求仍將持續(xù)增加。
華邦電指出，記憶體事業(yè)群部份，第 2 季各產(chǎn)品線占營(yíng)收比例分別為，利基型記憶體 (Specialty DRAM) 占季營(yíng)收 42%，季增 5%，營(yíng)收成長(zhǎng)幅度仍受限于產(chǎn)能。
行動(dòng)記憶體 (Mobile DRAM) 占季營(yíng)收 13%，季減 5%，主因客戶產(chǎn)品機(jī)型轉(zhuǎn)換導(dǎo)致該產(chǎn)品線需求減少；快閃記憶體 (Flash Memory) 占季營(yíng)收 45%，季增17%，成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自產(chǎn)品組合調(diào)整及價(jià)格上揚(yáng)，且來(lái)自多樣化應(yīng)用的 Flash 需求將持續(xù)增加。